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西安长禾半导体技术有限公司 
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手 机：17792574070  |
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| IGBT电子元器件失效分析实验室 |
长禾实验室检测能力范围
1 功率金属氧化物场效应管 1 漏源间反向击穿电压 半导体测试方法测试标准 MIL-STD-750F:2012 3407.1 只测： -3.5kV～3.5kV
半导体分立器件试验方法 GJB 128A-1997 3407 只测： -3.5kV～3.5kV
2 通态电阻 半导体测试方法测试标准 MIL-STD-750F:2012 3421.1 只测： 0～10kΩ,,0～1500A
3 阈值电压 半导体测试方法测试标准 MIL-STD-750F:2012 3404 只测： -10V～10V
4 漏极反向电流 半导体测试方法测试标准 MIL-STD-750F:2012 3415.1 只测： -100mA～100mA
5 栅极漏电流 半导体测试方法测试标准 MIL-STD-750F:2012 3411.1 只测： -100mA～101mA
6 体二极管压降 半导体测试方法测试标准 MIL-STD-750F:2012 4011.4 只测： 0A～1500A
7 跨导 半导体测试方法测试标准 MIL-STD-750F:2012 3475.2 只测： 1ms～1000s
8 开关时间 半导体测试方法测试标准 MIL-STD-750F:2012 3472.2 只测： VD：5V～3.3kV， ID：100mA～1500A
9 半导体分立器件试验方法 GJB 128A-1997 3472 只测： VD：5V～3.3kV， ID：100mA～1500A
10 体二极管反向恢复时间 半导体测试方法测试标准 MIL-STD-750F:2012 3473.1 只测： 10ns～2µs
11 体二极管反向恢复电荷 半导体测试方法测试标准 MIL-STD-750F:2012 3473.1 只测： 1nC～100µC
12 栅极电荷 半导体测试方法测试标准 MIL-STD-750F:2012 3471.3 只测： Qg：0.5nC～500nC
13 单脉冲雪崩能量 半导体测试方法测试标准 MIL-STD-750F:2012 3470.2 只测： L：0.01mH～159.9mH， Ias：0.1A～1500A
14 栅极串联等效电阻 功率MOSFET栅极串联等效电阻测试方法 JESD24-11:1996(R2002) 只测： 0.1Ω～50Ω
15 稳态热阻 半导体测试方法测试标准 MIL-STD-750F:2012 3161.1 只测： Ph：0.1W～250W
16 半导体分立器件试验方法 GJB 128A-1997 3161 只测： Ph：0.1W～250W
17 输入电容 半导体器件 分立器件 第8部分：场效应晶体管 IEC 60747-8:2010 6.3.10 只测： -3kV～3kV,0～1MHz
18 输出电容 半导体器件 分立器件 第8部分：场效应晶体管 IEC 60747-8:2010 6.3.11 只测： -3kV～3kV,0～1MHz
19 反向传输电容 半导体器件 分立器件 第8部分：场效应晶体管 IEC 60747-8:2010 6.3.12 只测： -3kV～3kV,0～1MHz
20 老炼试验 半导体分立器件试验方法 GJB 128A-1997 1042 只测： 条件A、条件B， Vdsmax：3500V， Tjmax：200℃
21 温度，反偏和操作寿命试验 JESD22-A108F:2017 只测： HTRB和HTGB试验
22 间歇功率试验 半导体分立器件试验方法 GJB 128A-1997 1042 |
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