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西安长禾半导体技术有限公司
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长禾第三方功率器件检测中心IGBT测试

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    检测项目 覆盖产品 检测能力 参考标准

功率循环试验（PC） IGBT模块 ΔTj=100℃ 电压电流*大1800A 12V IEC 客户自定义

高温反偏试验（HTRB） MOSFET、IGBT、DIODE、BJT、SCR，第三代半导体器件等单管器件 温度*高150℃； 电压*高2000V 美军标，国标，JEDEC，IEC，AEC,客户自定义等

高温门极试验（HTGB） MOSFET、SiC MOS等单管器件 温度*高150℃； 电压*高2000V 美军标，国标，JEDEC，IEC，AEC,客户自定义等

高温工作寿命试验（HTOL） MOSFET、IGBT、DIODE、BJT、SCR、IC、第三代半导体器件等单管器件 温度*高150℃ 电压*高2000V 美军标，国标，JEDEC，IEC，AEC,客户自定义等

低温工作寿命试验（LTOL） MOSFET、IGBT、DIODE、BJT、SCR、IC、第三代半导体器件等单管器件 温度*低-80℃ 电压*高2000V 美军标，国标，JEDEC，IEC，AEC,客户自定义等

 
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